| भाग संख्या : | EPC2030ENGR |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | EPC |
| विवरण : | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 6050 pcs |
| डाटा शीट | EPC2030ENGR.pdf |
| वोल्टेज - टेस्ट | 1900pF @ 20V |
| वोल्टेज - टूटने | Die |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.4 mOhm @ 30A, 5V |
| प्रौद्योगिकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
| शृंखला | eGaN® |
| RoHS स्थिति | Tray |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 31A (Ta) |
| ध्रुवीकरण | Die |
| दुसरे नाम | 917-EPC2030ENGR |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| उत्पादक हिस्सा करमार्क | EPC2030ENGR |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 18nC @ 5V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 2.5V @ 16mA |
| FET फ़ीचर | N-Channel |
| विस्तारित विवरण | N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - |
| विवरण | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 40V |
| समाई अनुपात | - |
EPC
