भाग संख्या : | EPC2021ENGR |
---|---|
निर्माता / ब्रांड : | EPC |
विवरण : | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 8815 pcs |
डाटा शीट | EPC2021ENGR.pdf |
वोल्टेज - टेस्ट | 1700pF @ 40V |
वोल्टेज - टूटने | Die |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
प्रौद्योगिकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
शृंखला | eGaN® |
RoHS स्थिति | Tape & Reel (TR) |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 60A (Ta) |
ध्रुवीकरण | Die |
दुसरे नाम | 917-EPC2021ENGRTR |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
उत्पादक हिस्सा करमार्क | EPC2021ENGR |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 15nC @ 5V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 2.5V @ 14mA |
FET फ़ीचर | N-Channel |
विस्तारित विवरण | N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | - |
विवरण | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 80V |
समाई अनुपात | - |