| भाग संख्या : | DTB543EMT2L |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | LAPIS Semiconductor |
| विवरण : | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 405572 pcs |
| डाटा शीट | 1.DTB543EMT2L.pdf2.DTB543EMT2L.pdf |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 12V |
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 300mV @ 5mA, 100mA |
| ट्रांजिस्टर प्रकार | PNP - Pre-Biased |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | VMT3 |
| शृंखला | - |
| प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) | 4.7 kOhms |
| प्रतिरोधी - आधार (आर 1) | 4.7 kOhms |
| पावर - मैक्स | 150mW |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण | SOT-723 |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 10 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| आवृत्ति - संक्रमण | 260MHz |
| विस्तृत विवरण | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 500nA |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 500mA |
| आधार भाग संख्या | DTB543 |
LAPIS Semiconductor
