| भाग संख्या : |
DTA115GKAT146 |
| निर्माता / ब्रांड : |
LAPIS Semiconductor |
| विवरण : |
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
| RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा |
715149 pcs |
| डाटा शीट |
DTA115GKAT146.pdf |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) |
50V |
| Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी |
300mV @ 250µA, 5mA |
| ट्रांजिस्टर प्रकार |
PNP - Pre-Biased |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज |
SMT3 |
| शृंखला |
- |
| प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) |
100 kOhms |
| पावर - मैक्स |
200mW |
| पैकेजिंग |
Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
| आवृत्ति - संक्रमण |
250MHz |
| विस्तृत विवरण |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3 |
| डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce |
82 @ 5mA, 5V |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) |
500nA (ICBO) |
| वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) |
100mA |
| आधार भाग संख्या |
DTA115 |
LAPIS Semiconductor
