| भाग संख्या : |
DS1220Y-200+ |
| निर्माता / ब्रांड : |
Maxim Integrated |
| विवरण : |
IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP |
| RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा |
5495 pcs |
| डाटा शीट |
DS1220Y-200+.pdf |
| लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ |
200ns |
| वोल्टेज आपूर्ति |
4.5 V ~ 5.5 V |
| प्रौद्योगिकी |
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज |
24-EDIP |
| शृंखला |
- |
| पैकेजिंग |
Tube |
| पैकेज / प्रकरण |
24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| परिचालन तापमान |
0°C ~ 70°C (TA) |
| माउन्टिंग का प्रकार |
Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
| स्मृति के प्रकार |
Non-Volatile |
| मेमोरी का आकार |
16Kb (2K x 8) |
| मेमोरी इंटरफेस |
Parallel |
| मेमोरी प्रारूप |
NVSRAM |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
| विस्तृत विवरण |
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 200ns 24-EDIP |
| आधार भाग संख्या |
DS1220Y |
| अभिगम समय |
200ns |
Maxim Integrated
