| भाग संख्या : | BUK9E4R9-60E,127 |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | NXP Semiconductors / Freescale |
| विवरण : | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 4946 pcs |
| डाटा शीट | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.1V @ 1mA |
| वीजीएस (मैक्स) | ±10V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | I2PAK |
| शृंखला | TrenchMOS™ |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 234W (Tc) |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| दुसरे नाम | 568-9876-5 934066657127 BUK9E4R960E127 |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 9710pF @ 25V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 65nC @ 5V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 5V, 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 100A (Tc) |
NXP Semiconductors / Freescale
