| भाग संख्या : | APTM10HM19FT3G |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | Microsemi |
| विवरण : | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 686 pcs |
| डाटा शीट | 1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 1mA |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SP3 |
| शृंखला | - |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| पावर - मैक्स | 208W |
| पैकेजिंग | Bulk |
| पैकेज / प्रकरण | SP3 |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Chassis Mount |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 32 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 5100pF @ 25V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 200nC @ 10V |
| FET प्रकार | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET फ़ीचर | Standard |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100V |
| विस्तृत विवरण | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3 |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 70A |
Microsemi
