भाग संख्या : | APTGT35H120T3G |
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निर्माता / ब्रांड : | Microsemi |
विवरण : | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 855 pcs |
डाटा शीट | 1.APTGT35H120T3G.pdf2.APTGT35H120T3G.pdf |
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 1200V |
Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी | 2.1V @ 15V, 35A |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | SP3 |
शृंखला | - |
पावर - मैक्स | 208W |
पैकेज / प्रकरण | SP3 |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
एनटीसी Thermistor | Yes |
माउन्टिंग का प्रकार | Chassis Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 32 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट समाई (CIES) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
इनपुट | Standard |
आईजीबीटी प्रकार | Trench Field Stop |
विस्तृत विवरण | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3 |
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 250µA |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 55A |
विन्यास | Full Bridge Inverter |