भाग संख्या : |
AOI7S65 |
निर्माता / ब्रांड : |
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
विवरण : |
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A |
RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा |
41434 pcs |
डाटा शीट |
1.AOI7S65.pdf2.AOI7S65.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र |
4V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) |
±30V |
प्रौद्योगिकी |
MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज |
TO-251A |
शृंखला |
aMOS™ |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस |
650 mOhm @ 3.5A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) |
89W (Tc) |
पैकेजिंग |
Tube |
पैकेज / प्रकरण |
TO-251-3 Stub Leads, IPak |
परिचालन तापमान |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार |
Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस |
434pF @ 100V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस |
9.2nC @ 10V |
FET प्रकार |
N-Channel |
FET फ़ीचर |
- |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) |
10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) |
650V |
विस्तृत विवरण |
N-Channel 650V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251A |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस |
7A (Tc) |