| भाग संख्या : | ALD212900PAL |
|---|---|
| निर्माता / ब्रांड : | Advanced Linear Devices, Inc. |
| विवरण : | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 20116 pcs |
| डाटा शीट | ALD212900PAL.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 20mV @ 20µA |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-PDIP |
| शृंखला | EPAD®, Zero Threshold™ |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 14 Ohm |
| पावर - मैक्स | 500mW |
| पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| दुसरे नाम | 1014-1212 |
| परिचालन तापमान | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 8 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 30pF @ 5V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | - |
| FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET फ़ीचर | Logic Level Gate |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 10.6V |
| विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 80mA |
