भाग संख्या : |
2SK3666-3-TB-E |
निर्माता / ब्रांड : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण : |
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
RoHs स्थिति : |
लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा |
301721 pcs |
डाटा शीट |
2SK3666-3-TB-E.pdf |
वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस बंद) @ पहचान पत्र |
180mV @ 1µA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज |
3-CP |
शृंखला |
- |
प्रतिरोध - आरडीएस (पर) |
200 Ohms |
पावर - मैक्स |
200mW |
पैकेजिंग |
Cut Tape (CT) |
पैकेज / प्रकरण |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
दुसरे नाम |
869-1107-1 |
परिचालन तापमान |
150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार |
Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम |
4 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति |
Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस |
4pF @ 10V |
FET प्रकार |
N-Channel |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) |
30V |
विस्तृत विवरण |
JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स |
10mA |
वर्तमान - नाली (IDSs) @ Vds (वीजीएस = 0) |
1.2mA @ 10V |
आधार भाग संख्या |
2SK3666 |