भाग संख्या : | 2SD2406-Y(F) |
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निर्माता / ब्रांड : | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण : | TRANS NPN 80V 4A TO220NIS |
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 5293 pcs |
डाटा शीट | 2SD2406-Y(F).pdf |
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 80V |
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 1.5V @ 300mA, 3A |
ट्रांजिस्टर प्रकार | NPN |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220NIS |
शृंखला | - |
पावर - मैक्स | 25W |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 Full Pack |
परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
आवृत्ति - संक्रमण | 8MHz |
विस्तृत विवरण | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 8MHz 25W Through Hole TO-220NIS |
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 120 @ 500mA, 5V |
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | 30µA (ICBO) |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 4A |